STD10P6F6

STD10P6F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进STripFET VI技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中实现了更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体系统能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，在25°C壳温条件下可支持高达10A的连续漏极电流。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压和5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.4nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度，而高达175°C的结温（TJ）则确保了其在严苛环境下的可靠工作。

在接口与参数方面，STD10P6F6的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。其最大功率耗散能力为35W（Tc），结合DPAK封装优良的热性能，使其能够处理可观的功率。这些参数共同定义了一款在性能与可靠性之间取得优异平衡的功率开关器件。对于需要本地化技术支持和供应链服务的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与采购支持。

得益于其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，STD10P6F6广泛应用于各类电源管理及功率转换领域。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类需要高效功率切换的工业设备和消费电子产品。其设计旨在满足现代电子系统对高效率、小型化和高可靠性的持续要求。

• 型号:STD10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD10P6F6是ST意法半导体DeepGATE系列中的一款P沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术，封装形式为表面贴装型DPAK。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案。

其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。关键优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)最大值160mΩ @ 5A, 10V）和极低的栅极电荷（Qg最大值6.4nC @ 10V），这共同确保了在开关应用中具有较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持高达175°C的结温，保证了在高温环境下的稳定运行。