STD110NH02LT4

STD110NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅工艺，在紧凑的DPAK封装内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计旨在最大限度地减少硅片面积上的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气参数上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至5毫欧（@40A），这一指标对于降低导通状态下的功率损耗至关重要。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在93nC（@10V），结合4450pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统在高频工作下的整体效率。器件具备24V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）承载能力，并支持±20V的栅源电压范围，提供了稳健的驱动兼容性和安全裕度。

在接口与热管理方面，STD110NH02LT4采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并优化PCB空间布局。其结壳热阻经过优化，允许器件在高达125W（Tc）的功率耗散下稳定工作，结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的批量项目，用户可以通过授权的ST一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其低导通电阻、快速开关能力以及坚固的封装，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有高要求的同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是负载点POL转换）以及各类电源管理电路中的开关应用。其性能参数使其成为中低电压、大电流开关场景下的一个经典解决方案，尽管已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍具参考价值。

• 型号:STD110NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD110NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通损耗与良好的开关特性平衡。

其关键参数包括24V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为5毫欧（@40A），栅极总电荷（Qg）最大值为93nC，这共同保障了在高电流应用中的高效能与快速切换。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为125W（Tc），具备可靠的鲁棒性。