STD130N6F7

STD130N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，其核心设计平衡了导通电阻（R_DS(on)）、栅极电荷（Q_G）和体二极管特性，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻，在10V驱动电压和40A漏极电流条件下，其最大值仅为5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在42nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声裕度和驱动灵活性。其额定连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达80A，最大功率耗散为134W，展现了强大的电流处理与散热能力。

在电气参数方面，STD130N6F7的漏源击穿电压（V_DSS）为60V，适用于常见的48V及以下总线系统。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了可靠的导通与关断控制。输入电容（C_iss）最大值为2600pF，是评估开关速度的重要参考。该器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率密度和安装便利性，其宽泛的工作结温（T_J）范围从-55°C延伸至175°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此型号产品。

凭借其高性能参数组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度要求较高的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动与控制（如电动工具、无人机电调）、电源管理以及电池保护电路等。在这些应用中，它能够有效降低系统温升，提升整体可靠性和能效比。

• 型号:STD130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，设计用于表面贴装应用，其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性平衡。

该MOSFET具备60V的漏源电压（Vdss）额定值和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力。其关键技术参数包括：在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为5毫欧（@40A），这确保了极低的传导损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在42nC（@10V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。