STD13N65M2

STD13N65M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积下的Rds(On)，同时保持了优异的动态特性，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC变换器中的高压母线环境，提供充裕的电压裕量以增强系统可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，共同带来了更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用（如PFC电路、LLC谐振变换器）的性能提升尤为关键。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±25V，增强了驱动的鲁棒性。

在封装与接口层面，STD13N65M2采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大结温高达150°C，配合110W（Tc）的功率耗散能力，确保了在紧凑空间和高温环境下的稳定运行。其连续漏极电流在壳温条件下额定为10A，能够满足中等功率等级的能量传输需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此型号产品及相关设计资源。

基于其高性能参数组合，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动的辅助电源等。其优异的性能使其成为工程师在设计和升级650V电压等级、数百瓦功率段电源产品时的优选功率开关解决方案。

• 型号:STD13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD13N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与经优化的低导通特性相结合，在10V栅极驱动下具备优异的导电性能，有助于降低导通损耗。

此外，其开关特性经过精心设计，较低的栅极电荷和输入电容有助于实现快速的开关转换，从而有效提升高频开关电源的整体效率。器件采用DPAK表面贴装封装，最大结温为150°C，功率处理能力达110W（Tc），为各种紧凑型、高可靠性电源设计提供了坚实的硬件基础。