STD13NM60ND

STD13NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而提升了整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。

在封装与热管理方面，STD13NM60ND采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产。该封装结合芯片本身的设计，使其在高达150°C的结温（T_J）下仍能可靠工作，并支持高达109W（壳温T_C条件下）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款器件非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及不间断电源（UPS）系统等领域。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，最终帮助设计者实现更紧凑、更高效的功率转换解决方案。

• 型号:STD13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD13NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：较低的导通电阻（R_DS(on)）有助于减少传导损耗，而经过控制的栅极电荷（Q_g）则有利于实现高效的开关性能，降低驱动损耗。这些特性使其在要求高效率和可靠性的功率转换电路中表现出色。

此外，该器件支持高达150°C的结温工作，功率处理能力强劲，非常适合用于开关电源、功率因数校正、电机控制等领域的功率开关应用，有助于设计出更紧凑、能效更高的系统。