STD140N6F7

STD140N6F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计通过精细的单元结构和沟槽栅工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能展现出极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为3.8毫欧（在40A条件下测量）。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在55nC，结合3100pF的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STD140N6F7具备60V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见24V或48V总线应用中的充足裕量。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达80A，峰值电流处理能力强劲。器件的功率耗散能力为134W（Tc），结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够适应苛刻的热环境。该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，便于在自动化生产线上进行装配。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此型号产品。

凭借其高电流能力、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、以及各类电源管理模块，如服务器电源、工业电源和电动工具中的功率开关。它在需要高效能量转换和紧凑布局的设计中，能够有效降低温升，提升系统可靠性。

• 型号:STD140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD140N6F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD140N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（3.8毫欧 @ 10V, 40A）与高达80A的连续电流处理能力的结合，旨在最小化功率应用中的传导损耗。

其电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和优化的栅极特性（Qg最大55nC，Vgs耐受±20V），确保了高效的开关性能和驱动稳健性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动及高密度DC-DC转换器等应用的理想选择，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。