STD14NM50NAG

STD14NM50NAG是ST意法半导体推出的一款面向汽车级应用的N沟道功率MOSFET。该器件隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive产品系列，并采用了ST先进的MDmesh II技术平台。这一架构通过在垂直结构中优化单元密度和电荷平衡，显著改善了器件的动态特性与开关性能，使其在高压、高频应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，为系统效率的提升奠定了坚实基础。

该MOSFET的核心优势体现在其优异的电气参数上。它具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为320毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的通态损耗和发热，有助于提升系统整体能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为27nC，结合816pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，开关速度快，能够有效降低驱动电路的负担并提升开关频率，适用于对效率与频率有较高要求的拓扑结构。

在封装与可靠性方面，STD14NM50NAG采用表面贴装型DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其结温（Tj）最高可达150°C，最大功率耗散为90W，确保了在严苛环境下的稳定工作能力。这些特性使其能够轻松应对汽车电子中常见的温度波动和振动冲击。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品与技术支持。

综合来看，凭借高耐压、低导通电阻、快速开关以及符合汽车级标准的可靠性，STD14NM50NAG非常适用于需要高效能和高可靠性的功率转换场景。其典型应用领域包括汽车系统中的电机驱动控制（如燃油泵、风扇）、DC-DC转换器，以及工业电源中的功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）的初级侧开关。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少散热设计难度，并满足长寿命和高可靠性的运行要求。

• 型号:STD14NM50NAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD14NM50NAG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，专为满足汽车电子及高性能工业应用的严苛要求而设计。该器件属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，并集成了先进的MDmesh II技术。

其核心电气参数定义了卓越的性能：500V的漏源电压和12A的连续漏极电流提供了强大的功率处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（320mΩ @ 10V, 6A）与极小的栅极电荷（27nC @ 10V），这共同实现了高效率与快速开关的完美结合，能显著降低开关损耗和驱动需求。此外，150°C的最高结温和90W的功率耗散能力确保了其在高温环境下的可靠运行。