STD15N60M2-EP

STD15N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，其核心在于通过创新的单元设计和工艺，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构实现了导通损耗与开关损耗之间的出色平衡，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线环境。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至378毫欧（测试条件为5.5A），这意味着在传导过程中产生的热量更少，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值仅为17nC，结合590pF的输入电容，使得开关速度更快，开关损耗得以有效控制，特别适合高频开关电源设计。

在接口与可靠性参数上，该器件采用标准的TO-252（DPAK）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的电压，增强了驱动电路的鲁棒性。该芯片在25°C壳温下的连续漏极电流（I_D）额定值为11A，最大功耗为110W，展现了强大的电流处理与散热能力。其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取此型号产品及相关设计资源。

基于其高性能与高可靠性，STD15N60M2-EP非常适用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和逆变器、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等。在这些场景中，它能够有效提升系统效率、功率密度和长期运行稳定性，是工程师实现高效能、紧凑型电源解决方案的优选功率开关器件。

• 型号:STD15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD15N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用表面贴装型DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压和11A连续漏极电流，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极电压下，其导通电阻最大值仅为378毫欧，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（17nC @ 10V）和输入电容确保了快速的开关特性，从而有效控制开关损耗。这些特性使其在-55°C至150°C的宽结温范围内，能够稳定工作在要求严苛的工业环境中。