STD16NF06LT4

STD16NF06LT4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位面积内实现了更低的导通电阻和更快的开关速度，其核心设计目标是在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力和效率。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值远低于70毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为7.5nC @ 5V，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关频率，从而减少开关损耗，特别适用于高频应用场景。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达24A，确保了在中等功率应用中的稳定性和可靠性。

在电气参数方面，该器件展现了宽泛的工作适应性。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值低至1V，增强了其在低电压逻辑信号驱动下的易用性。最大栅源电压（Vgs）为±18V，提供了足够的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）在25V条件下最大值为370pF，结合低栅极电荷，共同构成了其快速动态响应的基础。其最大功耗为40W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，使其能够应对严苛的环境温度挑战。器件采用表面贴装型的DPAK（TO-252）封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的优势，用户可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借上述综合性能，STD16NF06LT4非常适合于需要高效率功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关管、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类电源管理模块。它在空间受限但对功率密度和热管理有较高要求的应用中，如适配器、工业电源、电动工具和汽车电子辅助系统等，都能发挥关键作用。

• 型号:STD16NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD16NF06LT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD16NF06LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达24A（Tc）的连续漏极电流，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能平衡上。在10V Vgs下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为70毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值7.5nC @ 5V）确保了快速的开关速度，有助于提升高频开关电源的效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）使其能够适应苛刻的环境要求。