STD19N3LLH6AG

STD19N3LLH6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其面向汽车电子应用的STripFET技术产品线，并符合AEC-Q101车规级可靠性标准。该器件采用先进的平面MOSFET架构，通过优化单元设计和工艺制程，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一关键指标直接关系到开关电源应用的效率和热性能。

作为一款30V耐压、10A连续电流能力的功率开关，其核心优势在于极低的导通损耗和出色的开关特性。在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值仅为33毫欧（@5A），这有助于显著降低导通状态下的功率耗散，提升系统能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至3.7nC（@4.5V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量小，能够实现快速的开通与关断，减少开关过渡过程中的损耗，尤其适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或专用驱动器直接驱动。

该器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达30W。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些电气与物理参数共同定义了它在空间受限且要求高效率的应用中的价值。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关产品信息与供应链服务。

基于其车规级认证（AEC-Q101）、低导通电阻与快速开关能力，STD19N3LLH6AG非常适合用于汽车领域的DC-DC转换器、电机预驱动器、负载开关以及电池管理系统中。此外，在工业电源、低压电机控制、同步整流等场合，它也能提供高效、可靠的功率开关解决方案。尽管其零件状态标注为停产，但在一些现有系统维护或特定设计项目中，它仍代表了ST在汽车级功率MOSFET领域的技术积淀。

• 型号:STD19N3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:321 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD19N3LLH6AG是ST意法半导体生产的一款N沟道MOSFET，采用STripFET技术，并符合AEC-Q101汽车级质量标准。该器件设计用于要求高可靠性和高效率的应用场景。

其主要电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。其关键性能优势体现在极低的导通电阻（最大33毫欧 @ 5A, 10V）和较小的栅极电荷（最大3.7nC @ 4.5V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关速度，有助于提升整体电源系统的能效。器件采用DPAK表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，满足汽车及工业环境的严苛要求。