STD19NF20

STD19NF20是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其MESH OVERLAY产品系列。该器件采用先进的平面MOSFET技术，在DPAK（TO-252）表面贴装封装内集成了高性能的功率开关功能。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，这对于提升功率转换效率至关重要。

该器件具备200V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达15A的连续漏极电流能力，展现了其稳健的功率处理性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、7.5A电流条件下典型值仅为160毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于系统整体能效的提升。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC，结合800pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关电源应用中降低开关损耗。

在接口与参数方面，STD19NF20采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的电压，增强了设计的灵活性。器件支持高达90W（Tc）的功率耗散，并且结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与供应链服务。

基于其电气特性，该MOSFET非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、DC-DC转换器、电机驱动控制电路以及照明镇流器等。其高耐压和良好的电流处理能力使其成为离线式电源和工业控制系统中功率开关部分的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关应用领域仍具有参考价值。

• 型号:STD19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD19NF20是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率开关基础。

该器件的关键优势在于其低导通特性，在10V Vgs、7.5A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为160毫欧，配合24nC的低栅极电荷（Qg），有效降低了导通与开关损耗。这些特性使其非常适合用于要求高效率的开关电源和功率转换电路。