STD25NF10LA

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STD25NF10LA是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷之间的最佳平衡，这一特性对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。该器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产并适应高功率密度应用对空间的要求。

在功能表现上，该器件具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和在壳温(Tc)条件下高达25A的连续漏极电流(Id)能力，为其在中等电压、大电流场景下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)和12.5A漏极电流条件下最大仅为35毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为52nC，结合较低的栅极阈值电压(Vgs(th))，使得驱动电路的设计更为简便，并能有效减少开关过程中的损耗，提升整体系统的开关频率和动态响应性能。

从接口与电气参数来看，STD25NF10LA的标准驱动电压范围为4.5V至10V，最大栅源电压可承受±16V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大为1710pF，与低栅极电荷共同优化了开关特性。器件支持-55°C至175°C的宽结温(TJ)工作范围，并在壳温条件下最大功耗可达100W，展现了出色的鲁棒性和热可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的电气特性，STD25NF10LA非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、不间断电源(UPS)系统以及各类工业级开关电源。其平衡的性能参数使其成为在48V总线系统、电动工具、服务器电源等领域中实现高效电能转换和功率管理的理想选择。

• 型号:STD25NF10LA
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD25NF10LA是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心规格包括100V的漏源电压(Vdss)以及在壳温条件下25A的连续漏极电流(Id)能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流处理基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大仅为35毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷(最大52nC)有助于简化驱动设计并显著减少开关损耗，从而提升系统整体效率。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。