STD25NF10T4

STD25NF10T4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在硅片层面优化了单元结构和电流路径，实现了高单元密度与低导通电阻的平衡。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗，同时通过优化的栅极设计确保了快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达25A的连续漏极电流能力，展现了出色的功率处理性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、12.5A漏极电流条件下典型值仅为38毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通压降和发热量，提升了系统整体能效。栅极电荷（Qg）最大值控制在55nC，结合1550pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并实现高频开关操作，这对于开关电源等应用至关重要。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达100W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕度。阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。宽广的结温工作范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性，满足工业级应用的需求。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其优异的电气性能与可靠性，STD25NF10T4非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统中的功率开关、以及各类工业电源和逆变器。其平衡的性能参数使其成为中压、中大电流开关应用的理想选择，能够有效帮助设计工程师优化系统效率，减小解决方案尺寸。

• 型号:STD25NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD25NF10T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD25NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格为100V漏源电压（Vdss）与25A连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值38mΩ @ 10V）与优化的开关特性（栅极电荷Qg最大值55nC），这共同确保了在开关电源、电机驱动等应用中实现低传导损耗和高频高效运行。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，满足工业级应用的可靠性要求。