STD26NF10

STD26NF10是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺，在硅片层面优化了单元结构和沟道设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其核心架构通过精细的栅极氧化层控制和优化的掺杂分布，有效降低了栅极电荷和米勒电容，这对于提升开关效率、减少开关损耗至关重要，为高频开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的电气性能上。它具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达25A的连续漏极电流能力，确保了在严苛工况下的可靠性与高功率处理潜力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、12.5A漏极电流条件下典型值仅为38毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在55nC（@10V），结合±20V的最大栅源电压容限，意味着器件易于驱动，能够实现快速、干净的开关转换，并具备良好的抗栅极噪声干扰能力。

在接口与参数方面，该器件设计为表面贴装型，采用行业标准的DPAK（TO-252）封装，具有良好的功率耗散能力和便捷的PCB组装工艺。其热性能参数标明，在壳温条件下最大功率耗散可达100W，结合宽达-55°C至175°C的结温（TJ）工作范围，使其能够适应从工业控制到汽车电子等各类环境要求。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为1550pF，这一参数与低栅极电荷共同决定了其优秀的动态响应特性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述技术特点，STD26NF10非常适用于对效率和功率密度有较高要求的开关电源和功率转换领域。典型应用场景包括AC-DC开关电源的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）、电机驱动控制电路中的H桥或半桥功率级，以及各类需要高效功率开关的工业设备、通信基础设施和汽车辅助系统。其稳健的性能使其成为工程师在设计中实现高可靠性、高效率功率管理的优选器件之一。

• 型号:STD26NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD26NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值与高达25A（Tc）的连续电流处理能力，为功率开关应用提供了坚实的电压和电流裕量。

其技术亮点集中体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至38毫欧（@12.5A），显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值55nC @10V）有助于实现快速开关并减小驱动电路的压力，从而提升整体系统的转换效率与工作频率潜力。