STD38NH02L-1

作为ST意法半导体STripFET III系列中的一员，STD38NH02L-1是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率开关器件。其核心架构基于先进的沟槽栅工艺，通过优化单元密度和沟槽结构，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种设计旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效，尤其适用于对功率密度和热管理有较高要求的应用环境。

该器件在24V的漏源电压（Vdss）下，于壳温（Tc）条件下可支持高达38A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键电气特性包括极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压和19A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为13.5毫欧，这直接转化为更低的通态压降和功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为24nC，较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，减少开关过程中的能量损失。

在接口与参数方面，STD38NH02L-1采用标准的通孔安装I-PAK封装，便于在PCB板上进行可靠的机械和电气连接。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，属于标准逻辑电平驱动，可与常见的5V或3.3V微控制器输出直接或通过简单电路接口。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声能力。其最大结温（TJ）范围为-55°C至175°C，并具备40W（Tc）的功率耗散能力，确保了在宽温范围内的稳定运行。需要指出的是，该型号目前处于停产状态，工程师在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，相关采购与技术咨询可通过官方授权的ST代理商进行。

得益于其低导通电阻、高电流能力与快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路（如小型有刷直流电机或步进电机）、电池保护与负载开关，以及各类电源管理模块。其性能参数使其在24V总线系统、便携式设备电源和工业自动化控制单元中能够有效提升系统效率和可靠性。

• 型号:STD38NH02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD38NH02L-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于24V电压系统，在壳温条件下可处理高达38A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值13.5mΩ @ 10V, 19A）与优化的栅极电荷（最大值24nC @ 10V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗性能平衡。

器件采用通孔I-PAK封装，支持标准逻辑电平驱动（Vgs(th)最大2.5V），工作结温范围宽达-55°C至175°C。这些特性使其成为低压、高电流开关应用的理想选择，例如DC-DC转换器、电机驱动和负载管理电路，能够有效提升系统能效与功率密度。