STD3N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STD3N80K5是一款采用先进SuperMESH5技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过精细的单元结构和创新的工艺技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系。这种架构上的进步，使其在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET的核心特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力和浪涌冲击。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，结合仅9.5nC（@10V）的低栅极电荷（Qg），意味着器件不仅导通损耗小，而且开关速度快，驱动需求简单，有助于简化外围驱动电路设计并降低开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了宽裕的安全工作裕度。

在封装与可靠性层面，STD3N80K5采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达60W，便于在PCB上进行布局和散热管理。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品，以确保原装正品和完整的应用支持。

凭借其高压、低损耗及高可靠性的特点，这款器件非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及电机控制等应用领域。在这些场景中，它能够有效提升能源转换效率，并帮助设计者实现更紧凑、更可靠的系统解决方案。

• 型号:STD3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压额定值与优异的动态开关性能的平衡。其低至3.5欧姆的导通电阻（@1A, 10V）和仅9.5nC的栅极电荷，共同确保了低传导损耗和高频开关下的高效率。

此外，该器件在25°C管壳温度下可支持2.5A的连续漏极电流，最大功耗为60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了强大的功率处理能力和宽温工作可靠性。这些特性使其成为工业电源、LED驱动及各类离线功率转换应用中高压侧开关的理想选择。