STD3NK50ZT4

STD3NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心架构通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高电压阻断能力与低导通电阻之间的出色平衡。这种设计使得器件在保持紧凑封装尺寸的同时，能够高效处理功率转换任务，其内部结构确保了在开关过程中具有良好的动态性能和可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、照明系统等应用中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较小，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关损耗，这对于高频开关电源应用至关重要。

在电气参数方面，STD3NK50ZT4在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为2.3A，最大功率耗散为45W，确保了在合理热管理下的持续功率处理能力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压（Vgs）则提供了宽裕的驱动安全裕量。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此型号产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低栅极电荷和良好的热性能，STD3NK50ZT4非常适用于需要高效、可靠功率开关的场合。典型应用包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动器的功率级，以及家用电器和工业控制设备中的电机驱动辅助电路。其DPAK封装形式兼顾了功率处理能力和PCB空间利用率，是空间受限但要求高性能设计的理想选择。

• 型号:STD3NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3NK50ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件设计用于高电压、高效率的开关应用，其核心电气参数包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和2.3A（Tc）的连续漏极电流额定值。

其技术优势体现在优化的动态特性上，最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，配合10V驱动电压下较低的导通电阻，有效降低了开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于各类中功率开关电源和功率转换设计。