STD3NK80Z-1

意法半导体推出的STD3NK80Z-1是一款采用SuperMESH技术的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在硅片层面进行了工艺优化，旨在实现更低的单位面积导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）乘积，从而在高压开关应用中显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。其核心架构确保了在高达800V的漏源电压下，依然能提供稳定可靠的性能表现。

该器件具备多项突出的电气特性。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和浪涌。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值仅为4.5欧姆（@1.25A），这直接转化为更低的通态功耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为19nC，结合485pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动需求简单，开关速度快，有助于简化驱动电路设计并提高开关频率。

在接口与参数方面，STD3NK80Z-1采用标准的通孔I-PAK封装，便于在单面PCB上进行可靠的焊接和散热处理。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，最大功耗为70W，为设计提供了充足的功率裕量。栅源电压（Vgs）支持±30V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品以及批量供货支持。

基于其高压、低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、照明用电子镇流器、辅助电源以及电机驱动中的高压侧开关等场景。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并增强系统在电压波动下的鲁棒性，是工程师构建高效、紧凑型高压功率电路的优选器件之一。

• 型号:STD3NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD3NK80Z-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于800V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数，旨在实现高效率的功率转换。

在2.5A的连续漏极电流（Tc）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.5欧姆（@10V Vgs），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值19nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和简化的驱动要求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与70W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业环境。