STD4NK50Z-1

STD4NK50Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为需要高耐压和中等电流处理能力的开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在500V的漏源击穿电压（Vdss）下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的良好平衡，这有助于提升开关效率并降低导通损耗。

该MOSFET的关键电气特性使其在高压环境中表现稳定。在10V的栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为2.7欧姆（测试条件为1.5A），这确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限，而最大栅极电荷低至12nC，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。器件的输入电容（Ciss）最大值为310pF，结合其栅极电荷特性，意味着它能够被快速驱动，适用于一定频率的开关场景。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，该器件采用标准的通孔I-PAK封装，便于在PCB板上进行可靠的焊接和散热管理。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为3A，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。最大功率耗散能力为45W（Tc），这要求在实际应用中配合适当的散热设计以充分发挥其性能。这些参数共同定义了一个适用于离线电源、照明镇流器、电机控制辅助电路等领域的稳健开关解决方案。

基于其500V的耐压和3A的电流能力，STD4NK50Z-1典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及家用电器中的电机驱动辅助电源部分。其设计旨在为工程师提供一个在效率、成本和可靠性之间取得折衷的组件选择，尤其适合那些对元件长期供货稳定性有规划的应用。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估替代方案和生命周期。

• 制造商产品型号：STD4NK50Z-1
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STD4NK50Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH技术，封装形式为I-PAK。该器件核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为2.7Ω，同时栅极电荷（Qg）低至12nC，这有助于降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。