STD4NK50ZD

STD4NK50ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地减少寄生电容和栅极电荷，从而提升开关性能并降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中稳定可靠地工作。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和1.5A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.7欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合310pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量小，有助于简化驱动设计并进一步提升开关速度。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗为45W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。栅极驱动电压范围宽，最大可承受±30V的电压，提供了设计裕量。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，对于仍有设计需求或维护需求的客户，建议通过官方授权的ST一级代理渠道咨询库存或替代方案，以确保供应链的可靠性与元器件质量。

基于其500V的高压能力和优化的开关特性，STD4NK50ZD非常适用于需要高效能功率转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机控制的辅助电源以及家用电器中的功率管理模块。在这些场景中，其低导通电阻和快速开关能力有助于构建更紧凑、能效更高的电源解决方案。

• 型号:STD4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4NK50ZD是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值与较低的导通电阻（Rds(on)）相结合，在1.5A电流和10V栅极驱动下，Rds(on)典型值仅为2.7欧姆，有效降低了功率传导损耗。

同时，其极低的栅极电荷（Qg最大12nC）和输入电容特性，确保了快速的开关切换速度，有利于提升高频开关电源的效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和效率有较高要求的工业级与消费类电源设计。