STD4NK80Z-1

STD4NK80Z-1是一款基于意法半导体（STMicroelectronics）先进SuperMESH技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟道结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心架构旨在最小化寄生电容，特别是栅-漏电容（Crss），这直接关系到开关过程中的米勒效应，从而显著提升了器件在高频开关应用中的动态性能与可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力与浪涌，为系统提供了宽裕的安全裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这得益于SuperMESH技术对导通沟道电阻的优化，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，22.5nC（典型值）的低栅极总电荷（Qg）与适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并实现更快的开关速度。

在接口与参数层面，该器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结壳热阻（RthJC）经过优化，支持高达80W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围宽（±30V），提供了设计灵活性，而其4.5V（最大值）的阈值电压（Vgs(th)）则保证了与常见控制IC的良好兼容性。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术文档、评估板以及全面的设计支持。

凭借其高耐压、低损耗及快速开关的特性，STD4NK80Z-1非常适用于需要高效能和高可靠性的功率转换场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源。在这些场景中，它能够有效提升电源系统的功率密度和效率，同时满足严格的能效标准与可靠性要求。

• 型号:STD4NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STD4NK80Z-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD4NK80Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于结合了800V的高漏源电压（Vdss）与优化的导通电阻特性，在3A的连续漏极电流（Id）下能实现高效的电能转换。

该MOSFET采用I-PAK通孔封装，具备出色的热管理能力，最大功率耗散可达80W（Tc）。其电气参数针对开关性能进行了深度优化，例如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于降低开关损耗并提升工作频率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在各种环境条件下的稳定性和长寿命，使其成为工业级电源和功率控制设计的可靠选择。