STD5N20LT4

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STD5N20LT4是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率器件。其核心架构基于先进的工艺设计，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用表面贴装型DPAK封装，这种封装形式在提供良好散热性能的同时，也优化了PCB板上的空间利用率，非常适合自动化生产流程。

在电气特性方面，该器件具备200V的漏源击穿电压(Vdss)，这为其在离线式开关电源等高压环境中稳定工作提供了基础保障。其导通电阻表现突出，在5V驱动电压、2.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为700毫欧，这意味着在导通状态下能有效降低功率损耗，提升整体能效。同时，栅极电荷(Qg)典型值较低，在5V Vgs下最大为6nC，结合242pF的输入电容，共同决定了其快速的开关特性，有助于减少开关损耗并允许更高频率的操作。

该MOSFET的驱动门槛电压(Vgs(th))最大值为2.5V，且标准驱动电压为5V，使其能够与常见的逻辑电平或微控制器输出端口良好兼容，简化了驱动电路设计。其连续漏极电流(Id)在壳温(Tc)条件下额定为5A，最大功率耗散能力为33W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温域下的可靠性与鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取正品器件和技术支持。

综合其参数特性，STD5N20LT4非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括AC-DC开关电源(SMPS)中的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制中的H桥或半桥拓扑，以及各类照明系统的电子镇流器和DC-DC转换器。其平衡的性能参数使其成为中功率、高电压开关应用中的一个高性价比选择。

• 型号:STD5N20LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 2.5A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:242 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N20LT4是STMicroelectronics推出的STripFET系列N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心电气参数包括200V的漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。其导通电阻(Rds(on))在5V Vgs下最大仅为700毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷(最大6nC @ 5V)和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低电磁干扰(EMI)。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等应用的理想选择。