STD5N52U

STD5N52U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的UltraFASTmesh系列N沟道功率MOSFET，采用先进的平面工艺和单元结构优化设计。该器件采用表面贴装型DPAK封装，在紧凑的物理尺寸内实现了高电压与高效率的平衡，其核心架构旨在降低导通损耗和开关损耗，为高压开关应用提供可靠的解决方案。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达525V，使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.4A，结合最大仅1.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=2.2A），有效降低了器件在导通状态下的功率耗散，提升了整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。

在动态特性方面，STD5N52U表现出色。其最大栅极电荷（Qg）仅为16.9nC，配合529pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动电路所需的充电能量较小，有利于实现高速开关并降低驱动损耗，从而提升系统在高频工作下的效率。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±30V，增强了驱动级的鲁棒性。其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，并能在壳温（Tc）下耗散高达70W的功率，确保了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持与供货保障，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，该器件非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、电机控制以及工业逆变器等。在这些场景中，它能够帮助设计者构建出更紧凑、更高效且更可靠的电力电子系统。

• 型号:STD5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N52U是STMicroelectronics UltraFASTmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心特性在于其525V的高漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通性能与开关性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.5Ω，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg（max）=16.9nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，功率耗散达70W，具备高可靠性。