STD5N80K5

STD5N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5系列技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于创新的单元结构和沟槽栅技术，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时通过精心设计的电场分布，确保了高达800V的漏源击穿电压（Vdss）可靠性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

这款MOSFET的功能特性围绕高效能与易用性展开。其1.75欧姆（典型值，在10V Vgs和2A Id条件下）的低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，器件具备极低的栅极电荷（Qg，典型值5nC @ 10V）和输入电容（Ciss），这使得开关速度更快，开关损耗更低，并且对驱动电路的要求更为宽松，仅需标准的10V驱动电压即可实现完全导通。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力。该器件采用表面贴装型DPAK封装，在紧凑的尺寸下实现了高达60W（Tc）的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在电气参数方面，STD5N80K5标称连续漏极电流（Id）为4A（基于壳温Tc），结合800V的耐压，使其在高压小电流或中功率场合游刃有余。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，有助于防止因噪声引起的误开启。这些参数的组合，特别是低Rds(on)与低Qg的优异组合，使其品质因数（FOM）表现突出，是评估高压MOSFET开关性能的关键指标。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品，以确保获得原厂正品和完整的技术支持。

基于其高压、高效、快速开关的特性，STD5N80K5非常适用于要求高可靠性和高效率的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动辅助电源等应用场景。在这些领域中，它能够有效帮助设计者简化电路设计、减小散热器尺寸，最终实现电源系统功率密度和能效等级的提升。

• 型号:STD5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）与4A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。器件具备低至1.75欧姆的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（5nC）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升系统整体效率并简化驱动电路设计。

结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围和60W的功率处理能力，STD5N80K5为开关电源、PFC及工业电源等应用提供了一个可靠且高效的高压开关解决方案。