STD5NK50Z-1

STD5NK50Z-1是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和先进的工艺制程，在硅片层面实现了低比导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心架构旨在有效控制沟道电阻和寄生电容，从而在开关应用中实现快速导通与关断，同时将传导损耗降至较低水平。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压环境中表现可靠。其额定漏源电压高达500V，能够承受工业级应用中的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为4.4A，支持适中的功率处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、2.2A电流条件下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压最大值设计为4.5V，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性，同时提供了足够的噪声容限。

在动态性能方面，该器件在10V栅源电压下的总栅极电荷仅为28nC，结合535pF的典型输入电容，意味着驱动电路所需的充电电流较小，有助于简化栅极驱动设计并降低开关损耗。其栅源电压可承受±30V的范围，提供了较强的抗栅极过压能力。器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热特性，在壳温条件下最大功率耗散可达70W。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

基于其500V的耐压和数安培的电流能力，STD5NK50Z-1非常适合用于离线式开关电源的初级侧开关、功率因数校正电路、电子镇流器以及电机驱动等应用场景。其平衡的开关特性与导通性能，使其成为中小功率AC-DC转换、工业控制和家用电器中构建高效、紧凑型功率解决方案的合适选择。

• 型号:STD5NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD5NK50Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用通孔式I-PAK封装，核心额定参数为500V漏源电压和4.4A连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术特性侧重于高效率与易驱动性，具备1.5欧姆的低导通电阻和仅28nC的栅极电荷，有助于降低导通与开关损耗。器件支持高达±30V的栅源电压和10V的标准驱动电平，并能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，适用于要求严苛的功率转换场景。