STD5NK52ZD-1

STD5NK52ZD-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，专为需要高耐压和中等电流处理能力的开关应用而优化。其核心设计旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达520V，使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压和2.2A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.5欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在16.9nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担，优化开关损耗。

在电气参数上，该器件在壳温（Tc）条件下可支持4.4A的连续漏极电流，最大功耗为70W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。其宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要获取官方技术支持和正品保障的开发者，建议通过ST授权代理进行采购咨询。

凭借520V的耐压和优化的开关特性，STD5NK52ZD-1非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压LED驱动以及电机控制等应用场景。在这些领域中，其高耐压和良好的动态性能有助于构建高效、紧凑且可靠的功率解决方案，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和参数特性仍为同类应用提供了有价值的参考。

• 型号:STD5NK52ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD5NK52ZD-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心特性包括520V的高漏源电压（Vdss）以及4.4A的连续漏极电流处理能力。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能平衡上，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）仅为1.5欧姆，同时栅极电荷（Qg）较低，这有助于降低导通与开关损耗，提升系统效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性的工业级功率开关应用。