STD60N3LH5

STD60N3LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在30V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升电源转换效率和功率密度至关重要。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧（在24A条件下测量），这一特性直接转化为更低的通态压降和发热量。高达48A的连续漏极电流（Tc条件下）承载能力，使其能够处理可观的功率水平。同时，其栅极电荷（Qg）在5V驱动下最大值仅为8.8nC，结合1350pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较小，有利于实现高速开关并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的鲁棒性。

器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。最大功率耗散能力为60W（Tc条件下），需要在实际应用中配合适当的散热设计以充分发挥性能。作为STripFET V系列的一员，其性能参数体现了该系列在低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性方面的综合优势。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其优异的电气特性，STD60N3LH5非常适用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器拓扑中，如同步整流、负载点（POL）转换和电机驱动中的低侧开关。它在服务器电源、通信设备电源、电动工具以及汽车辅助系统等领域的开关电源设计中，曾是实现高效能量管理的可靠选择。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标对于理解同类功率器件的选型与应用仍具有重要参考价值。

• 型号:STD60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD60N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为8毫欧（@24A），连续漏极电流高达48A（Tc），能显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值低至8.8nC（@5V），支持快速开关，有助于提升开关电源的整体效率并降低开关损耗。30V的漏源电压（Vdss）与宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），使其适用于对效率和可靠性要求较高的中低压、大电流开关应用场景。