STD6N62K3

STD6N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和创新的沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与电荷平衡，从而在高压开关应用中显著降低了传导损耗和开关损耗。其核心设计目标是在高达620V的漏源电压下提供稳定可靠的性能，同时兼顾快速开关特性与出色的热稳定性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大连续漏极电流在壳温条件下可达5.5A，并能在高达150°C的结温下正常工作，展现了强大的电流处理能力和宽泛的工作温度范围。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、2.8A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至1.28欧姆，这直接有助于减少导通状态下的功率耗散，提升系统整体效率。其栅极阈值电压最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为25.7nC，结合706pF的输入电容，共同构成了快速的开关性能，有利于在高频开关电源设计中降低开关损耗并提升工作频率。

在接口与封装方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其栅源电压可承受±30V的范围，为驱动电路设计提供了充足的裕量。最大功率耗散能力为90W（Tc），结合其低热阻封装，能够有效管理工作中产生的热量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借620V的高耐压和优异的开关性能，STD6N62K3非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。其平衡的性能参数使其成为中功率AC-DC转换器、适配器和工业电源中功率开关管的理想选择，能够在提升系统功率密度的同时保证长期运行的稳定性。

• 型号:STD6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.28 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:706 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD6N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为620V漏源电压和5.5A连续漏极电流，专为高压开关应用而优化。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为1.28欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值低至25.7nC，这确保了快速的开关速度，能有效降低高频工作时的开关损耗。这些特性共同使其在要求高效率和高可靠性的电源设计中成为关键元件。