STD70N6F3

作为ST意法半导体STripFET III产品家族的重要成员，STD70N6F3是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的单元结构设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，这一核心架构使其在开关性能与导通损耗方面表现卓越。其表面贴装型的DPAK封装不仅提供了良好的功率处理能力，也确保了在紧凑PCB布局中的可靠性与散热效率。

在电气特性方面，该MOSFET的突出优势在于其极低的导通电阻。在10V栅极驱动电压、35A漏极电流的条件下，其导通电阻最大值仅为10.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值被控制在35nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着在开关转换过程中所需的驱动能量更少，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率潜力。其60V的漏源电压（Vdss）额定值与70A的连续漏极电流能力，为其在中等功率应用中的稳定运行提供了坚实基础。

该器件具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和高达110W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取原装正品及完整的应用支持。这些接口与参数特性共同定义了一款适用于高性能开关场景的功率开关器件。

基于上述技术特点，STD70N6F3非常适合于需要高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、各类电源管理模块以及电池保护电路。其在降低热损耗和提升开关速度方面的优势，使其成为工业自动化、消费电子电源适配器、电动工具及汽车辅助系统等领域的理想选择，能够有效帮助工程师优化系统能效与可靠性。

• 型号:STD70N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD70N6F3是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括60V漏源电压（Vdss）和70A连续漏极电流（Tc）处理能力，为中等功率应用提供了可靠的开关基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至10.5毫欧（@35A），显著降低了导通损耗。同时，最大35nC的栅极电荷（Qg @10V）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的稳定性和耐用性。