STD78N75F4

STD78N75F4是ST意法半导体基于其先进的STripFET与DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，通过精细的单元设计和沟槽几何形状，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷的卓越平衡。这种架构有效降低了导通损耗和开关损耗，同时增强了器件的坚固性和热稳定性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的核心优势在于其出色的电气性能。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、35A电流条件下仅为11毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在76nC，有助于降低驱动电路的功率需求，并实现更快的开关速度，从而优化高频应用中的开关性能。器件具备75V的漏源击穿电压（Vdss）和高达78A的连续漏极电流（Id）承载能力，结合125W（Tc）的最大功率耗散，展现了强大的功率处理潜能。

在接口与参数方面，STD78N75F4采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了设计上的灵活性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，如需获取库存或替代方案，建议咨询官方ST授权代理。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括中大功率的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、工业电机）、不间断电源（UPS）系统中的功率开关模块，以及各类电源管理单元中的同步整流和负载开关电路。其稳健的性能使其成为构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件。

• 型号:STD78N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD78N75F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件基于STripFET与DeepGATE技术，旨在提供优异的功率处理能力与开关效率。

其核心电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达78A（Tc）的连续漏极电流。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，仅为11毫欧（@35A），显著降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在76nC，有利于实现快速开关并降低驱动功耗，适用于高效率功率转换设计。