STD7N52K3

STD7N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和第三代超级结工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡，为系统设计提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备525V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在高压环境下的可靠工作与安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6A，能够处理可观的功率等级。其关键性能体现在导通特性上，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为980毫欧（测试条件为3.1A），这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压耐受能力，有助于实现快速开关并简化栅极驱动电路的设计，减少开关过程中的能量损失。

在动态与热性能方面，STD7N52K3在100V漏源电压下的输入电容（Ciss）最大值为737pF，较低的电容参数有利于提升开关速度。器件的最大功率耗散能力为90W（基于壳温），其结温（TJ）最高可工作至150°C，展现了良好的热稳定性与鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其依然是许多现有或特定设计方案的理想参考与选择。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，STD7N52K3非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、工业电源适配器及LED驱动电源的功率因数校正（PFC）和主开关拓扑中。此外，它也适用于电机控制、逆变器以及各类需要高压侧开关的电子镇流器应用，为工程师提供了一个在高压功率管理领域的经典解决方案。

• 型号:STD7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）与低至980毫欧（@10V，3.1A）的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电压应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

其额定连续漏极电流（Id）为6A（Tc），最大栅极电荷（Qg）为34nC，支持快速开关操作。器件设计可承受高达150°C的结温（TJ）和90W（Tc）的功率耗散，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了该器件在高效率开关电源、电机驱动及功率转换电路中的核心价值。