STD7N65M6

STD7N65M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升开关频率和降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式电源和功率转换应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合仅990毫欧的最大导通电阻（Rds(on)）（测试条件为2.5A，10V），确保了在导通状态下具有较低的通态损耗，有助于提升整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.75V，配合±25V的最大栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。

在动态特性方面，STD7N65M6的栅极电荷（Qg）最大值仅为6.9nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为220pF（@100V），这些低电荷参数直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合需要高频率操作的电路设计。其采用表面贴装型DPAK封装，在提供高达60W（Tc）功率耗散能力的同时，也满足了现代电子设备对高功率密度和小型化的需求，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，这款器件主要面向要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。它是开关电源（SMPS）初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动和逆变器等设计的理想选择，能够有效帮助工程师优化系统效率，减小散热器尺寸，并降低整体解决方案的成本。

• 型号:STD7N65M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7N65M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh M6技术制造，封装形式为DPAK。该器件核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电压和电流处理能力。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为990毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值6.9nC）和输入电容（Ciss，最大值220pF）确保了快速、高效的开关行为，非常适合高频开关电源设计，能够有效提升系统整体能效和功率密度。