STD7N80K5

STD7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与高耐压能力的出色平衡。其核心在于对寄生电容的精细控制，特别是栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）的显著降低，这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，为高效率功率转换奠定了物理基础。

在功能表现上，这款MOSFET的突出特性是其800V的漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和浪涌，确保系统在严苛环境下的长期可靠性。同时，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为1.2欧姆（在3A条件下），这意味着在导通期间的通态损耗被控制在很低的水平。结合仅13.4nC的低栅极电荷（Q_g），器件可以实现快速、干净的开关切换，有效减少开关过渡过程中的损耗，对于提升开关电源（SMPS）的整体效率至关重要。其宽泛的栅源电压（V_GS）范围（±30V）也提供了更强的驱动鲁棒性。

从接口与参数来看，该器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其标称连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下为6A，最大功耗可达110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了强大的功率处理能力和宽广的温度适应性。这些参数共同描绘出一个高效、坚固的功率开关形象。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和供应保障。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STD7N80K5非常适用于需要高性能离线式开关的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑，如反激式、正激式转换器。它也适用于电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及LED照明驱动等对效率和成本均有要求的领域。在这些应用中，它能够帮助系统满足日益严格的能效标准，同时凭借其高可靠性简化散热设计，降低系统总成本。

• 型号:STD7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源耐压（V_DSS）与优异的开关特性的紧密结合，旨在为高压功率转换应用提供高效率解决方案。

其技术参数表现突出：在10V驱动下导通电阻（R_DS(on)）仅为1.2Ω，同时栅极电荷（Q_g）低至13.4nC，这直接降低了导通与开关损耗。器件采用DPAK封装，支持表面贴装，在壳温条件下可处理6A的连续电流，最大功耗110W，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和设计灵活性。