STD7NK40ZT4

STD7NK40ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和制造工艺，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心架构旨在平衡开关性能与导通损耗，内部集成了低栅极电荷与低电容特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备400V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在离线式开关电源等高压应用中的可靠运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5.4A，结合仅1欧姆（@2.7A，10V）的最大导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，最大值仅为4.5V，便于由标准逻辑电平或PWM控制器进行驱动。

在动态特性方面，ST代理提供的技术资料显示，STD7NK40ZT4在10V Vgs下的最大栅极总电荷（Qg）仅为26nC，同时输入电容（Ciss）也得到良好控制。这些低电荷与低电容参数共同作用，使得器件的开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适用于高频开关应用。其封装采用标准的表面贴装型DPAK（TO-252），在提供高达70W（Tc）功率耗散能力的同时，兼顾了PCB布局的紧凑性与散热效率。

凭借其优异的电气参数与热性能，STD7NK40ZT4非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动和DC-DC转换器中的高压侧开关。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也使其能够适应严苛的工业环境需求。

• 型号:STD7NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7NK40ZT4是意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其400V的高压阻断能力与低至1欧姆的导通电阻的出色结合，能够在高压应用中实现较低的传导损耗。

其动态特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为26nC，配合较低的输入电容，确保了快速开关性能，有助于降低高频工作下的开关损耗。该MOSFET采用DPAK表面贴装封装，在25°C壳温下可耗散70W功率，连续漏极电流额定值为5.4A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计紧凑且高效的电源解决方案提供了可靠选择。