STD7NM80

STD7NM80是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性与坚固性，为高压开关应用提供了高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。800V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中的电压应力与开关尖峰。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值较低，结合仅18nC（典型值）的栅极总电荷（Q_g），共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其栅源电压（V_GS）耐受范围达±30V，提供了更强的抗干扰能力和驱动设计裕度。

在电气参数与物理接口方面，STD7NM80在壳温（T_C）25°C条件下的连续漏极电流（I_D）为6.5A，最大功耗为90W。其采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，这种封装形式在功率密度、散热能力与PCB占位面积之间取得了良好折衷，便于自动化生产并简化热管理设计。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。如需获取官方技术支持与供货保障，建议通过ST授权代理进行采购与咨询。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动、工业电机控制辅助电源以及电焊机等设备中的功率开关环节。它在提升电源系统功率密度和效率方面扮演着关键角色，是工程师设计高性能、高可靠性功率转换电路的优选元件之一。

• 型号:STD7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括800V的漏源电压（V_dss）和6.5A的连续漏极电流（I_d），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态参数上：在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Q_g）典型值仅为18nC，这有助于实现高效率的功率开关操作。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。