STD80N10F7

STD80N10F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通损耗。其核心优势在于将高电流处理能力与快速开关特性相结合，为高效率功率转换应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至10毫欧（在40A，10V条件下测得），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为45nC @ 10V，结合3100pF @ 50V的输入电容（Ciss），确保了器件具备出色的开关性能，能够有效降低开关过程中的能量损耗，并允许使用更小、更快的驱动电路。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，提供了卓越的热性能和功率密度，在紧凑的空间内也能实现高达85W（Tc）的功率耗散能力。

在电气参数方面，STD80N10F7在25°C壳温下可支持高达70A的连续漏极电流，栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 250A，具有良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了器件在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适合用于要求严苛的功率管理场景。其主要应用领域包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动和控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及各类DC-DC转换器，如降压、升压和逆变器。在电动工具、不间断电源（UPS）和汽车电子等对效率、尺寸和可靠性有高要求的系统中，STD80N10F7能够作为关键开关元件，有效提升整体能效和功率密度。

• 型号:STD80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD80N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的DeepGATE产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达70A的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻与优化的开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为10毫欧（@40A），配合最大45nC（@10V）的低栅极电荷，共同确保了在高频开关应用中实现低传导损耗与低开关损耗的平衡。宽达-55°C至175°C的工作结温范围和85W的功率耗散能力，进一步保障了其在高温、高功率环境下的可靠运行。