STD80N4F6

STD80N4F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，并融合了DeepGATE与STripFET VI两大核心技术。该器件采用先进的沟槽栅工艺，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。通过优化的单元设计和垂直导电结构，在紧凑的DPAK封装内实现了高达80A的连续漏极电流处理能力，同时将导通损耗降至最低，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与高可靠性构建。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、40A电流条件下仅为6毫欧，这一极低的阻抗直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在36nC，结合优化的输入电容，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得器件在高频开关应用中也能保持优异的性能。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，STD80N4F6的漏源击穿电压（Vdss）为40V，适用于常见的12V或24V汽车及工业总线系统。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的DPAK（TO-252）封装具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗为70W，便于PCB布局和散热管理。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高电流能力、低导通损耗和汽车级可靠性，该器件非常适合用于对效率和空间有严格要求的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机控制（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、以及DC-DC转换器中的同步整流和负载开关。在工业自动化、电源管理和电池保护电路中，它也能作为高效的主开关或负载开关，显著提升系统的功率密度和能效表现。

• 型号:STD80N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD80N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，集成了DeepGATE和STripFET VI技术，专为要求高可靠性和高效率的应用而设计。

其核心电气参数表现出色：漏源电压（Vdss）为40V，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流（Id）高达80A。关键性能指标包括极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流下最大值仅为6毫欧，以及优化的栅极电荷（最大值36nC @ 10V），这共同确保了极低的传导与开关损耗。器件工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，满足严苛环境下的稳定运行需求。