STD80N6F7

STD80N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高功率密度与卓越的开关性能之间的平衡。其核心设计聚焦于显著降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），这两项关键参数的优化直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（V_DSS）和在壳温（T_C）为25°C时高达40A的连续漏极电流能力，为中等电压应用提供了坚实的电流处理基础。其导通电阻在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下典型值低至8毫欧，这一低R_DS(on)特性确保了在导通状态下产生最小的压降和热量。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为25nC（@10V），结合±20V的宽栅源电压范围，使得它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达100W。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在苛刻环境下的可靠运行。输入电容（C_iss）等动态参数也经过精心设计，有助于简化栅极驱动电路的设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其性能组合，STD80N6F7非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、电池保护系统以及各类电源管理单元。其在降低能耗和提升功率密度方面的优势，使其成为工业自动化、消费电子电源适配器、电动工具等领域的理想选择。

• 型号:STD80N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD80N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其优异的导通与开关特性。

其主要参数包括60V的漏源电压（V_DSS）和40A的连续漏极电流（I_D），提供了稳健的功率处理能力。关键卖点在于极低的导通电阻（典型值8mΩ @ 10V, 20A）与较低的栅极电荷（最大值25nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关速度，从而提升系统效率。器件采用DPAK表面贴装封装，工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），适用于要求高可靠性和高功率密度的设计。