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STD830CP40

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN/PNP 400V 3A 8-DIP
原厂封装:封装:8-DIP
优势价格,STD830CP40的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STD830CP40的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STD830CP40是ST意法半导体推出的一款高压双极性晶体管阵列,采用经典的8引脚双列直插式封装。该器件集成了NPN和PNP两种极性的晶体管,构成一个互补对阵列,其核心设计旨在满足中高功率开关与线性放大应用中对高压、大电流处理能力及电路简化的需求。其内部晶体管经过优化,能够在高达400V的集射极电压下稳定工作,同时承受3A的连续集电极电流,为设计者提供了一个在单一封装内实现推挽输出、电平转换或驱动电路的高集成度解决方案。

该器件的功能特点突出其高压耐受性与良好的饱和特性。集射极击穿电压高达400V,使其非常适合应用于离线式开关电源、电子镇流器、电机驱动等存在高压瞬态的场合。其Vce饱和压降在1A电流下典型值仅为500mV,这意味着在导通状态下功耗较低,有助于提升整体能效。同时,器件提供了互补的NPN和PNP晶体管对,简化了需要上下拉或双向驱动的电路设计。尽管其直流电流增益(hFE)在特定条件下最小值为18,这确保了在驱动适度电流时具备可靠的放大能力,结合150°C的最高结温,赋予了其在严苛环境下的工作鲁棒性。

在接口与关键参数方面,STD830CP40采用通孔安装的8-DIP封装,引脚间距为标准7.62mm,便于在实验板或传统PCB上进行布局和焊接。其集电极截止电流最大为100A,体现了良好的关断特性。最大功耗为3W,用户需根据实际应用条件配备合适的散热措施。值得注意的是,该器件已处于停产状态,对于仍在维护或生产相关设备的工程师,可以通过正规的ST一级代理渠道咨询库存或获取替代产品建议。

基于其技术规格,STD830CP40典型的应用场景涵盖工业控制与消费电子领域。它常被用于构成开关电源中的半桥或全桥驱动级、交流电机控制器的预驱动电路、以及音频功率放大器的输出级。其高压能力也使其适用于CRT显示器行输出电路、UPS不同断电源等传统设计。虽然现代设计可能更多转向集成度更高的模块或MOSFET方案,但该器件在需要简单、可靠、高压互补晶体管对的经典架构中,依然是一个经过验证的选择。

  • 型号:STD830CP40
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-DIP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS NPN/PNP 400V 3A 8-DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:1 NPN,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):18 @ 700mA,5V
  • 功率 - 最大值:3W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:8-DIP
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STD830CP40是ST意法半导体生产的一款高压双极性晶体管阵列,集成于8引脚DIP封装内。该器件集成了NPN和PNP晶体管,提供互补的开关与放大功能,其核心优势在于高达400V的集射极击穿电压和3A的集电极电流处理能力,适用于中高功率应用。

器件具备良好的饱和特性,Vce饱和压降低至500mV @ 1A,有助于降低导通损耗。其设计支持最高150°C的结温,确保了在高温环境下的可靠性。该晶体管阵列主要面向需要高压驱动和互补输出的场景,如电源转换、电机控制和音频放大等传统工业与消费电子领域。

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