STD85N10F7AG

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STD85N10F7AG是一款采用先进STripFET技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心在于通过精细的单元结构和沟槽工艺，在保证高耐压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达100V，为电路提供了宽裕的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）能力达到70A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流的典型工作条件下，其导通电阻典型值仅为10毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，与标准逻辑电平驱动兼容性好，而最大栅极电荷（Q_g）为45nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，STD85N10F7AG采用坚固的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其最大允许栅源电压（V_GS）为±20V，提供了较强的抗栅极过压能力。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，并在85W的最大功耗下保持稳定运行，这些特性使其能够适应苛刻的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻以及符合AEC-Q101标准的汽车级品质，该器件非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如燃油泵、风扇控制）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关、以及工业电源和逆变器中的功率开关模块。其稳健的设计确保了在频繁开关和高温环境下长期工作的稳定性，是工程师构建高效、紧凑功率解决方案的理想选择。

• 型号:STD85N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD85N10F7AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达70A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值10毫欧 @ 10V, 40A），能显著降低导通损耗。

其设计兼顾了开关性能与驱动简便性，最大栅极电荷（Qg）仅为45nC，有助于提升开关频率并降低驱动电路复杂度。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗85W，确保了在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为汽车电子、高效电源转换及电机控制等应用的优选功率开关解决方案。