STD86N3LH5

STD86N3LH5是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET V产品系列。该器件采用先进的平面MOSFET技术，专为在严苛环境下要求高可靠性和高效率的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，实现了在紧凑封装内极低的功率损耗。

该器件具备多项突出特性，使其在同类产品中表现优异。其导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，在V_GS=10V、I_D=40A条件下仅为5mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为14nC（@5V），结合优化的内部栅极电阻，确保了快速的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，STD86N3LH5的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达80A，漏源击穿电压（V_DSS）为30V，能够满足大多数中低电压、大电流场景的需求。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，与标准逻辑电平驱动兼容性好。器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，在提供出色散热能力（最大功率耗散70W @ T_C）的同时，也便于自动化生产装配。其结温（T_J）最高可承受175°C，确保了在高温环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持或批量采购，可以联系授权的ST代理商。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，STD86N3LH5非常适合应用于汽车电子领域，如电动助力转向（EPS）、电机驱动、燃油泵控制、LED照明驱动等模块。此外，在工业电源、同步整流、DC-DC转换器、电池保护电路以及各类需要高效功率开关的消费电子和通信设备中，它也是一个可靠且高性能的选择。

• 型号:STD86N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD86N3LH5是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，采用STripFET V技术。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够提供高达80A（T_C）的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为5mΩ @ 10V，显著降低了功率损耗。

其优化的动态特性，包括最大14nC的低栅极电荷（Q_g @ 5V）和快速的开关性能，使其非常适用于高频开关场景。器件采用DPAK封装，最大结温为175°C，确保了在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性和稳定性。