STD90N02L-1

作为ST意法半导体STripFET III系列中的一员，STD90N02L-1是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率器件。其核心架构基于先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，为功率路径提供了坚固的物理结构和高效的散热能力，确保在连续高电流工况下的可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能。在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值可低至6毫欧（@30A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC @ 5V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关速度快，驱动损耗低，特别适合高频开关应用。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1.8V，确保了与低电压逻辑电平控制信号的兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，STD90N02L-1的额定漏源电压（Vdss）为25V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达60A，最大功率耗散为70W。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了在苛刻环境下的稳定运行能力。对于需要可靠供应链支持的开发者，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。尽管该器件目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在诸多现有系统和备件市场中仍具参考价值。

凭借低导通电阻、快速开关和良好的热特性，这款MOSFET非常适合用于低压高电流的功率转换和管理场景。典型应用包括计算机主板、显卡的同步整流和电源相位控制，服务器和通信设备的DC-DC转换器，以及各类电机驱动、电池保护电路中的开关元件。其设计旨在提升终端设备的能效和功率密度，是工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时可参考的经典器件之一。

• 型号:STD90N02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD90N02L-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，额定电压25V，在壳温条件下可支持高达60A的连续漏极电流。

其核心优势在于极低的功率损耗。器件在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为6毫欧（@30A），显著降低了传导过程中的能量损失。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC @ 5V）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升整体开关电源的效率和频率。

综合其电气特性，STD90N02L-1主要面向要求高效率和高电流处理能力的低压应用，如DC-DC转换、同步整流及电机控制等功率开关领域。