STD90N4F3

STD90N4F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，其核心优势在于通过精细的单元几何结构与先进的沟槽栅工艺，在保证高可靠性的前提下，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够提供高达80A的连续漏极电流（T_C=25°C），而其导通电阻在40A电流条件下典型值仅为6.5毫欧，这一特性使其在导通状态下的功率损耗极低，效率表现突出。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在54nC（@10V），结合2200pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关转换速度，有助于降低开关损耗并提升系统在高频应用中的整体效率。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STD90N4F3的漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于常见的低压总线系统。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达110W，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速的开关特性，这款MOSFET非常适合作为同步整流器、电机驱动H桥中的低边开关或高电流DC-DC转换器中的主开关管。其典型应用场景包括服务器和通信设备的电源模块、电动工具的无刷直流（BLDC）电机控制、汽车辅助系统中的负载开关以及工业自动化设备中的功率分配单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能与高可靠性理念，在诸多现有系统中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STD90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD90N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用DPAK封装，设计用于处理高电流、低电压的开关应用。

其核心电气参数表现突出：漏源电压（V_DSS）为40V，在25°C管壳温度下可承载高达80A的连续漏极电流。关键优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动、40A电流条件下，R_DS(on)最大值仅为6.5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，54nC的栅极电荷（Q_g）确保了快速的开关速度。

该器件工作结温范围宽广（-55°C至175°C），适用于对效率和热管理有严格要求的场景，如DC-DC转换、电机驱动和电源管理电路。