STD90NH02LT4

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STD90NH02LT4是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性平衡。该器件采用表面贴装型DPAK封装，为高功率密度应用提供了紧凑的物理解决方案，同时确保了在宽温度范围内的可靠热性能。

在功能表现上，该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至6毫欧（在30A条件下测量），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，配合最大64nC（@10V）的栅极总电荷（Q_g），使其能够被标准逻辑电平信号（如5V）高效驱动，同时保持较快的开关速度，有助于降低开关损耗。其最大连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达60A，漏源击穿电压（V_DSS）为24V，适用于中低压、大电流的开关场景。

从接口与参数细节来看，STD90NH02LT4的输入电容（C_iss）最大值为2850pF，这需要在驱动电路设计时予以考虑，以优化开关波形。其栅源电压（V_GS）可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极噪声能力。器件最大功耗为95W（T_C），结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，展现了良好的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保元器件来源与质量的重要途径。

基于其参数特性，该MOSFET非常适合应用于需要高效率电源转换的领域。典型应用场景包括计算机主板、显卡的同步整流和负载点（POL）转换器，服务器和通信设备的DC-DC变换模块，以及各类电机驱动控制电路中的低侧开关。其优异的R_DS(on)和电流处理能力，使其在空间受限且对热管理有较高要求的表面贴装设计中表现出色。

• 型号:STD90NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD90NH02LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS、30A条件下典型值仅为6mΩ，这能显著降低功率损耗并提升系统整体效率。

其电气参数针对中低压、大电流开关应用进行了优化，具备24V的漏源电压（V_DSS）和高达60A（T_C）的连续漏极电流能力。配合2.5V的最大栅极阈值电压和较低的栅极电荷，使其易于被标准逻辑电平驱动，并实现快速的开关响应。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换器和电机驱动等应用的理想选择。