STD90NS3LLH7

STD90NS3LLH7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET H7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精细的单元设计和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷，从而在功率转换效率和开关速度之间取得了出色的平衡。其核心设计旨在最大限度地减少传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达80A，展现出强大的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅源驱动电压（Vgs）和40A漏极电流条件下，典型值仅为3.4毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，栅极总电荷（Qg）在4.5V Vgs下最大为13.7nC，较低的栅极电荷需求有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。器件内部集成了体二极管，为感性负载提供续流路径。

在接口与参数方面，STD90NS3LLH7采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并具有良好的散热能力。其最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了安全的驱动裕量。在25V漏源电压下，输入电容（Ciss）最大值为2110pF。器件的最大功率耗散（基于壳温）为57W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严格要求的中低电压、大电流应用场景。典型应用包括同步整流DC-DC转换器（如服务器电源、通信设备电源）、电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、电池保护电路以及各类负载开关。其设计能够有效降低系统热损耗，提升整体运行效率与可靠性。

• 型号:STD90NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD90NS3LLH7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H7产品系列。该器件采用DPAK封装，额定漏源电压为30V，在壳温25°C下可支持高达80A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心电气参数表现优异，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.4毫欧（@40A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.7nC（@4.5V），有利于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换等应用的理想选择。