STD95N04

STD95N04是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持良好的开关特性，以满足高效率功率转换的需求。

该器件具备多项关键特性，使其在同类产品中表现突出。其最大连续漏极电流在壳温条件下可达80A，漏源击穿电压为40V，为中等电压、大电流应用提供了坚实的基础。尤为重要的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为6.5毫欧，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在54nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STD95N04采用标准的TO-252（DPAK）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件的结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，结合高达110W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工作环境。客户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其性能组合，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率处理和高可靠性的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、以及各类电源管理模块，如计算机服务器电源、工业电源和汽车电子系统中的负载开关。其设计平衡了导通损耗、开关损耗和热管理，是工程师构建紧凑、高效功率解决方案的可靠选择。

• 型号:STD95N04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD95N04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和DPAK封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(on)典型值仅为6.5毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

该器件额定电压为40V，连续漏极电流高达80A（Tc），并具备110W（Tc）的功率耗散能力，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。其栅极电荷（Qg）最大值54nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。