STD95N2LH5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STD95N2LH5是一款采用先进的STripFET V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件在紧凑的DPAK封装内实现了卓越的功率密度与效率平衡，其核心架构通过优化单元设计和工艺制程，显著降低了导通电阻和栅极电荷，为高电流、高频率开关应用提供了坚实的硬件基础。其技术特性直接转化为系统级的性能优势，尤其在需要低损耗和高可靠性的场合表现突出。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源电压（Vdss）为25V，在壳温（Tc）条件下可支持高达80A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。更值得关注的是其极低的导通电阻，在10V栅源电压和40A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为4.5毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极驱动特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）在5V驱动下仅为13.4nC，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大1V），意味着它能够被快速驱动，减少开关延迟和开关损耗，非常适合高频PWM控制电路。

在接口与参数方面，STD95N2LH5设计为表面贴装型，采用标准的DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。最大栅源电压（Vgs）为±22V，提供了足够的驱动裕量。此外，其功率耗散能力在壳温条件下可达70W，良好的热性能使其能够应对持续的功率需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于上述特性，该器件主要面向对效率和功率密度有苛刻要求的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点POL转换器）和电机驱动控制电路的理想选择。在服务器电源、通信设备电源模块、电动工具以及汽车辅助系统中，其低导通电阻和高开关速度的优势能够有效提升系统效率，减少热量产生，从而帮助设计者实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STD95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD95N2LH5是ST意法半导体基于STripFET V技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗，其25V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流使其能够胜任大电流开关任务。

其关键技术参数定义了高性能表现：在10V Vgs和40A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.5毫欧，显著降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大13.4nC @ 5V）和较低的栅极阈值电压确保了快速、高效的开关性能。这些特性共同使其成为高效率DC-DC转换、同步整流和电机驱动等应用的优选功率开关器件。