STD96N3LLH6

STD96N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅极工艺，在紧凑的DPAK封装内实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡。其核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。该技术平台确保了器件在高温和高电流工作条件下的稳定性和可靠性，为要求严苛的功率应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温条件下可支持高达80A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压和40A电流条件下典型值仅为4.2毫欧，这一极低的导通阻抗直接转化为更低的功率耗散和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC（@4.5V），结合适中的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更少，可以实现更高频率的开关操作并简化栅极驱动设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STD96N3LLH6采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其最大结温（Tj）高达175°C，最大功率耗散为70W（Tc），确保了在恶劣热环境下的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，可与常见的微控制器或驱动IC直接兼容。这些参数共同定义了一个高效、可靠且易于使用的功率开关解决方案。对于需要本地化技术支持和供应链服务的客户，可以通过ST中国代理获取详细的产品资料、样品及采购支持。

凭借其高电流、低损耗和快速开关的特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流和负载开关、电动工具和无人机中的电机驱动控制、以及汽车辅助系统（如LED照明驱动、风扇控制）中的功率管理模块。在这些应用中，STD96N3LLH6能够有效降低系统温升，提升整体性能与可靠性。

• 型号:STD96N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD96N3LLH6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD96N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺。该器件在30V的漏源电压（Vdss）下，具备高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为4.2毫欧（@40A, 10V），能显著降低传导损耗。

其开关性能同样优异，最大栅极电荷（Qg）低至20nC，有助于实现高效率和高频开关操作。器件采用表面贴装型DPAK封装，最大结温为175°C，功率耗散达70W（Tc），确保了在高功率密度应用中的热可靠性和稳定性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效电源转换等应用的理想选择。