STD9N80K5

STD9N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性。

该MOSFET的漏源击穿电压（V_DSS）高达800V，使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为7A，结合最大仅900mΩ的导通电阻（在10V V_GS和3.5A I_D条件下测得），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极总电荷（Q_g）典型值较低，这有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简单、成本更优的驱动电路，从而简化系统设计。

在动态参数方面，STD9N80K5展现了MDmesh K5系列的低电荷特性，其输入电容（C_iss）得到良好控制，有利于实现更快的开关速度并降低开关噪声。器件采用坚固的DPAK（TO-252）表面贴装封装，在提供高达110W（Tc）功率耗散能力的同时，也满足了现代电子设备对高功率密度和小型化的需求。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借800V的高压能力和优异的导通与开关性能，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。它是工程师在设计新一代节能型电源和功率转换系统时，一个兼顾性能与成本的高性价比选择。

• 型号:STD9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD9N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术制造。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在提供强大耐压能力的同时，有效降低了导通损耗，有助于提升系统整体能效。

其7A的连续漏极电流额定值、较低的栅极电荷（Qg）以及优化的动态特性，使其能够实现快速、高效的开关操作。器件采用DPAK表面贴装封装，功率耗散能力达110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类电源和功率转换应用中的高可靠性与稳定性。