STDLED625

STDLED625是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于标准的DPAK表面贴装封装内。该器件内部基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，其栅极采用二氧化硅介质层，确保了良好的绝缘性与驱动稳定性，同时集成了保护性体二极管，为开关应用中的感性负载提供续流路径。

该MOSFET的核心优势在于其620V的高漏源击穿电压(Vdss)与5A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够从容应对离线式电源、电机驱动等场合中可能出现的电压应力。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻(RdsOn)典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗与更高的系统效率。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为35nC，结合适中的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于提升开关电源的工作频率。

在电气参数上，STDLED625的栅极阈值电压(Vgs(th))设计合理，提供了良好的噪声抑制能力。其Vgs最大耐受电压为±30V，为栅极驱动电路的设计提供了充足的裕量。器件支持高达150°C的结温(TJ)工作，并在壳温(Tc)条件下最大功耗为70W，展现了其强大的热性能和可靠性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、良好的开关特性以及DPAK封装带来的便利性与散热能力，此器件非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、LED照明驱动、家用电器中的电机控制以及工业级AC-DC变换器。其稳健的设计使其成为在紧凑空间内实现高效、可靠功率管理的理想选择。

• 制造商产品型号：STDLED625
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 5A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
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STDLED625是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心特性包括620V的漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)，能够满足中高功率应用对耐压和电流承载能力的要求。

其技术参数突出了高效开关性能，在10V驱动电压下导通电阻(RdsOn)较低，同时最大栅极电荷(Qg)仅为35nC，这有助于降低开关损耗并提升整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，热性能可靠，适用于需要长期稳定运行的场景。